1. RODNA
  2. CONICET
  3. CONICET
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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.creatorLipovetzky, José-
dc.creatorGarcía Inza, Mariano Andrés-
dc.creatorCarbonetto, Sebastián Horacio-
dc.creatorCarra, Martin Javier-
dc.creatorRedin, Eduardo Gabriel-
dc.creatorSambuco Salomone, Lucas Ignacio-
dc.creatorFaigon, Adrián Néstor-
dc.date2017-11-16T16:02:16Z-
dc.date2017-11-16T16:02:16Z-
dc.date2013-12-
dc.date2017-11-15T13:49:31Z-
dc.date.accessioned2019-04-29T15:56:20Z-
dc.date.available2019-04-29T15:56:20Z-
dc.identifierLipovetzky, José; García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; et al.; Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 60; 6; 12-2013; 4683-4691-
dc.identifier0018-9499-
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11336/28329-
dc.identifierCONICET Digital-
dc.identifierCONICET-
dc.identifier.urihttp://rodna.bn.gov.ar:8080/jspui/handle/bnmm/305760-
dc.descriptionThis paper presents a new technique to build MOS dosimeters using unmodified standard CMOS processes. The devices are n-channel MOS transistors built with the regular Field Oxide as a thick radiation-sensitive gate. The devices were fabricated in two different commercial m CMOS processes, gate oxide thicknesses of nm and nm. Responsivities up to 4.4 mV/rad with positive bias, and 1.7 mV/rad with zero gate bias were obtained in the thicker oxides. The effect of charge trapped in the oxide and interface states on the shift in the threshold voltage are analyzed.-
dc.descriptionFil: Lipovetzky, José. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina-
dc.descriptionFil: García Inza, Mariano Andrés. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina-
dc.descriptionFil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina-
dc.descriptionFil: Carra, Martin Javier. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina-
dc.descriptionFil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina-
dc.descriptionFil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina-
dc.descriptionFil: Faigon, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina-
dc.formatapplication/pdf-
dc.formatapplication/pdf-
dc.languageeng-
dc.publisherInstitute of Electrical and Electronics Engineers-
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6678078/-
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2013.2287256-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccess-
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/-
dc.sourcereponame:CONICET Digital (CONICET)-
dc.sourceinstname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas-
dc.sourceinstacron:CONICET-
dc.subjectDosimeters-
dc.subjectMOS devices-
dc.subjectRadiation effects-
dc.subjectSolid-state detectors-
dc.subjectIngeniería de Sistemas y Comunicaciones-
dc.subjectIngeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información-
dc.subjectINGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS-
dc.titleField Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion-
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/articulo-
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