1. RODNA
  2. CONICET
  3. CONICET
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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.creatorVergara, L.I.-
dc.creatorVidal, Ricardo Alberto-
dc.creatorFerron, Julio-
dc.creatorSánchez, Esteban Alejandro-
dc.creatorGrizzi, Oscar-
dc.date2017-11-06T18:44:52Z-
dc.date2017-11-06T18:44:52Z-
dc.date2001-01-
dc.date2017-11-03T20:46:33Z-
dc.date.accessioned2019-04-29T15:48:30Z-
dc.date.available2019-04-29T15:48:30Z-
dc.date.issued2001-01-
dc.identifierVergara, L.I.; Vidal, Ricardo Alberto; Ferron, Julio; Sánchez, Esteban Alejandro; Grizzi, Oscar; Growth of AlF3 thin films on GaAs(110). Structure and chemical stability; Elsevier Science; Surface Science; 482; 1-2001; 854-859-
dc.identifier0039-6028-
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11336/27675-
dc.identifierCONICET Digital-
dc.identifierCONICET-
dc.identifier.urihttp://rodna.bn.gov.ar:8080/jspui/handle/bnmm/302580-
dc.descriptionThe growth process of AlF3 films on GaAs, from submonolayer coverage up to several layers, habe been characterized by means of Auger electron spectroscopy, ion sputter depth profiling, and direct recoiling spectroscopy with time of flight analyisis. The chemicalcomposition and the surface structure were studied for films grown at room temperature and after annealing the films up to 400C. The films grow stoichiometrically at RT and no ordering was found in this case. The post-annealing of the AlF3 films produces a loss of fluorine, and a chemical reduction of aluminum with the appearance of a metallic phase. AES and TOF-DRS combined measurements show that while F atoms escape through the surface, metallic Al diffuse into the substrate substituting Ga atoms.-
dc.descriptionFil: Vergara, L.I.. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina-
dc.descriptionFil: Vidal, Ricardo Alberto. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina-
dc.descriptionFil: Ferron, Julio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina-
dc.descriptionFil: Sánchez, Esteban Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina-
dc.descriptionFil: Grizzi, Oscar. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina-
dc.formatapplication/pdf-
dc.formatapplication/pdf-
dc.formatapplication/pdf-
dc.formatapplication/pdf-
dc.languageeng-
dc.publisherElsevier Science-
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/S0039-6028(01)00797-X-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccess-
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/-
dc.sourcereponame:CONICET Digital (CONICET)-
dc.sourceinstname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas-
dc.sourceinstacron:CONICET-
dc.source.uri1-
dc.subjectGROWTH-
dc.subjectALF3-
dc.subjectSTRUCTURE-
dc.subjectSTABILITY-
dc.subjectOtras Ciencias Físicas-
dc.subjectCiencias Físicas-
dc.subjectCIENCIAS NATURALES Y EXACTAS-
dc.titleGrowth of AlF3 thin films on GaAs(110). Structure and chemical stability-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion-
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/articulo-
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