1. RODNA
  2. CONICET
  3. CONICET
Registro completo de metadatos
Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.provenanceCONICET-
dc.creatorD'elia, Raul Luis-
dc.creatorAguirre, Myriam H.-
dc.creatorHeredia, Eduardo Armando-
dc.creatorDi Stefano, María Cristina-
dc.creatorMartínez, Ana M.-
dc.creatorTolley, Alfredo Juan-
dc.creatorNúñez García, Javier Luis Mariano-
dc.creatorGeraci, Adriano Esteban-
dc.creatorCabanillas, Edgardo Domingo-
dc.creatorCanepa, Horacio Ricardo-
dc.creatorTrigubo, Alicia Beatriz-
dc.date2018-05-08T19:30:07Z-
dc.date2018-05-08T19:30:07Z-
dc.date2015-12-
dc.date2018-05-04T14:55:10Z-
dc.date.accessioned2019-04-29T15:37:05Z-
dc.date.available2019-04-29T15:37:05Z-
dc.date.issued2015-12-
dc.identifierD'elia, Raul Luis; Aguirre, Myriam H.; Heredia, Eduardo Armando; Di Stefano, María Cristina; Martínez, Ana M.; et al.; Chemical Etching and TEM Crystalline Quality Assessment of Single Crystalline ZnSe Ingots Grown by I2 Vapor Phase Transport; Cosmos Scholars Publishing House; International Journal of Advanced Applied Physics Research; 2; 12-2015; 28-34-
dc.identifier2408-977X-
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11336/44481-
dc.identifierCONICET Digital-
dc.identifierCONICET-
dc.identifier.urihttp://rodna.bn.gov.ar:8080/jspui/handle/bnmm/297833-
dc.descriptionCrystalline defects were studied in single crystalline ZnSe grown by chemical transport using I2 as gaseous carrier. Transmission electronic microscopy determined an excellent structural order in the micrometric and nanometric range. Larger material areas were studied by chemical etching using different reagents to determine average dislocations density and average adjacent subgrains misorientation. Comparable micrographic results of different reagents are shown. Characterization values of ZnSe commercial substrate grown by High Pressure Bridgman (HPB) have been compared to those that correspond to our grown material wafers. Characterization proved that the semiconductor crystalline quality in our wafers is appropriate for optical devices.-
dc.descriptionFil: D'elia, Raul Luis. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina-
dc.descriptionFil: Aguirre, Myriam H.. Universidad de Zaragoza; España-
dc.descriptionFil: Heredia, Eduardo Armando. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina-
dc.descriptionFil: Di Stefano, María Cristina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina-
dc.descriptionFil: Martínez, Ana M.. Universidad Nacional de Misiones; Argentina-
dc.descriptionFil: Tolley, Alfredo Juan. Comisión Nacional de Energía Atómica. Fundación José A. Balseiro; Argentina-
dc.descriptionFil: Núñez García, Javier Luis Mariano. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina-
dc.descriptionFil: Geraci, Adriano Esteban. Comisión Nacional de Energía Atómica. Fundación José A. Balseiro; Argentina-
dc.descriptionFil: Cabanillas, Edgardo Domingo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina-
dc.descriptionFil: Canepa, Horacio Ricardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina-
dc.descriptionFil: Trigubo, Alicia Beatriz. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina-
dc.formatapplication/pdf-
dc.formatapplication/pdf-
dc.languageeng-
dc.publisherCosmos Scholars Publishing House-
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.cosmosscholars.com/cs-ijaapr/48-abstracts/ijaapr/464-abstract-chemical-etching-and-tem-crystalline-quality-assessment-of-single-crystalline-znse-ingots-grown-by-i2-vapor-phase-transport-
dc.relationinfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.15379/2408-977X.2015.02.02.5-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess-
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/-
dc.sourcereponame:CONICET Digital (CONICET)-
dc.sourceinstname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas-
dc.sourceinstacron:CONICET-
dc.source.urihttp://hdl.handle.net/11336/44481-
dc.subjectSINGLE CRYSTALLINE ZNSE-
dc.subjectII-VI SEMICONDUCTORS-
dc.subject(I2) CHEMICAL TRANSPORT-
dc.subjectCHEMICAL ETCHING-
dc.subjectRecubrimientos y Películas-
dc.subjectIngeniería de los Materiales-
dc.subjectINGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS-
dc.titleChemical Etching and TEM Crystalline Quality Assessment of Single Crystalline ZnSe Ingots Grown by I2 Vapor Phase Transport-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion-
dc.typeinfo:ar-repo/semantics/articulo-
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